SCT2080KE
░░░░░
Заключён договор
34 350 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Доступ ограничен
Доступ ограничен
Зарегистрируйтесь и получите бесплатный доступ к закупкам, подборку тендеров под вашу деятельность, удобные фильтры для поиска и другое. А с тарифом «Расширенный» доступны все возможности без ограничений.
SCT2080KE
░░░░░
Заключён договор
34 350 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
GD25MPS17H
░░░░░
Заключён договор
38 216,60 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
SCS240KE2
░░░░░
Заключён договор
55 600 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
NDSH25170A
░░░░░
Заключён договор
33 136,20 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
UJ3N120035K3S
░░░░░
Заключён договор
114 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
NTH4L028N170M1
░░░░░
Заключён договор
104 250 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
IMWH170R450M1XKSA1
░░░░░
Заключён договор
17 866,60 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
NDSH40120C-F155
░░░░░
Заключён договор
36 916,60 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
GD30MPS12H
░░░░░
Заключён договор
33 483,40 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
C2M0045170D
░░░░░
Заключён договор
376 250,10 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
NTHL022N120M3S
░░░░░
Заключён договор
40 933,40 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
C2M0025120D
░░░░░
Заключён договор
149 499,90 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
C6D25170H
░░░░░
Заключён договор
222 950,10 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по изготовлению тестовых МДП элементов SiC MOSFET транзисторов и тестовых элементов ионной имплантации
░░░░░
Заключён договор
6 294 250 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD
░░░░░
Заключён договор
5 500 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В
░░░░░
Заключён договор
6 757 219,14 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Изготовление демонстраторов кристаллов MOSFET транзисторов и FRED диодов
░░░░░
Заключён договор
34 740 160,80 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
услуги по сборке и испытанию кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 60 В и 100 В
░░░░░
Заключён договор
6 831 981,78 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В
░░░░░
Заключён договор
6 831 981,78 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Изготовление демонстраторов кристаллов MOSFET транзисторов и FRED диодов
░░░░░
Заключён договор
34 740 160,80 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░