Тендеры ООО "ССТ"
2130225986
2308265684
5406722503
Пластины с эпитаксиальной структурой n-типа на основе монокристаллического карбида кремния SiC
Заключён договор
5 454 431,55 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Заключён договор
99 009 863,27 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по изготовлению тестовых элементов конструкции силовых приборов на пластинах карбида кремния
Заключён договор
18 501 761,67 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Заключён договор
4 433 333,33 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Поставка SiC MOSFET, JFET транзисторов и SBD диодов
Заключён договор
801 072,30 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Заключён договор
65 400 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по изготовлению тестовых МДП элементов SiC MOSFET транзисторов и тестовых элементов ионной имплантации
Заключён договор
6 294 250 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD
Заключён договор
5 500 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В
Подача заявки
до 02.02.2026 15:30 по МСК
2 дня
6 757 219,14 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░