GD25MPS17H
Заключён договор
38 216,60 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
GD25MPS17H
Заключён договор
38 216,60 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Пластины с эпитаксиальной структурой n-типа на основе монокристаллического карбида кремния SiC
Отменена
3 002 439,40 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
NDSH25170A
Заключён договор
33 136,20 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
UJ3N120035K3S
Заключён договор
114 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
NTH4L028N170M1
Заключён договор
104 250 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
IMWH170R450M1XKSA1
Заключён договор
17 866,60 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
NDSH40120C-F155
Заключён договор
36 916,60 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
NTHL022N120M3S
Заключён договор
40 933,40 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
IDWD50G200C5XKSA1
Заключён договор
106 433,40 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
SCS240KE2
Заключён договор
55 600 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Пластины с эпитаксиальной структурой n-типа на основе монокристаллического карбида кремния SiC
Заключён договор
5 454 431,55 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Макетные образцы IGBT транзисторов
Заключён договор
99 009 863,27 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по изготовлению тестовых элементов конструкции силовых приборов на пластинах карбида кремния
Заключён договор
18 501 761,67 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Проведение исследования на РЭМ
Заключён договор
4 433 333,33 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Поставка SiC MOSFET, JFET транзисторов и SBD диодов
Заключён договор
801 072,30 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по выполнению технологических операций
Заключён договор
65 400 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по изготовлению тестовых МДП элементов SiC MOSFET транзисторов и тестовых элементов ионной имплантации
Заключён договор
6 294 250 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD
Заключён договор
5 500 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В
Заключён договор
6 757 219,14 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Изготовление демонстраторов кристаллов MOSFET транзисторов и FRED диодов
Заключён договор
34 740 160,80 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░