C6D25170H
Заключён договор
222 950,10 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
C6D25170H
Заключён договор
222 950,10 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
IDWD50G200C5XKSA1
Заключён договор
106 433,40 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
SCT2080KE
Заключён договор
34 350 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
GD25MPS17H
Заключён договор
38 216,60 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
SCS240KE2
Заключён договор
55 600 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Пластины с эпитаксиальной структурой n-типа на основе монокристаллического карбида кремния SiC
Отменена
3 002 439,40 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Пластины с эпитаксиальной структурой n-типа на основе монокристаллического карбида кремния SiC
Заключён договор
5 454 431,55 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по изготовлению тестовых элементов конструкции силовых приборов на пластинах карбида кремния
Заключён договор
18 501 761,67 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по выполнению технологических операций
Заключён договор
65 400 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Проведение исследования на РЭМ
Заключён договор
4 433 333,33 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD
Заключён договор
5 500 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░