Моделирование технологического процесса для изделий силовой кремниевой (Si) электроники (ССТ-020-95)
░░░░░░░░░
Заключён договор
4 963 934,43 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Доступ ограничен
Моделирование технологического процесса для изделий силовой кремниевой (Si) электроники (ССТ-020-95)
░░░░░░░░░
Заключён договор
4 963 934,43 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Сборка и испытания макетных образцов силовых IGBT модулей на основе совместного использования кристаллов IGBT транзистора с конструкцией SPT+ и комплектных FRD диодов с конструкцией SPT+ и IGBT транзисторов с конструкцией Trench SPT+ RC (ССТ-020-93)
░░░░░░░░░
Заключён договор
8 658 907,10 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Сборка и испытания макетных образцов кристаллов IGBT транзисторов с конструкцией SPT+ Trench с напряжением 1200 В, 1700 В и FRED диодов с конструкцией SPT+ с напряжением 1200 В, 1700 В, IGBT транзисторов с конструкцией SPT+ Trench RC с напряжением 3300 В, 4500 В, 6500 В (ССТ-020-94)
░░░░░░░░░
Заключён договор
3 737 541,74 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░