Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В (ССТ-020-82_1)
Заключён договор
6 831 981,78 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В (ССТ-020-82_1)
Заключён договор
6 831 981,78 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Изготовление демонстраторов кристаллов MOSFET транзисторов и FRED диодов (ССТ-020-83)
Заключён договор
34 740 160,80 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Изготовление демонстраторов кристаллов MOSFET транзисторов и FRED диодов (ССТ-020-83)
Отменена
34 740 160,80 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Cборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 60 В и 100 В (ССТ-020-83_2)
Заключён договор
6 831 981,78 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В
Заключён договор
6 757 219,14 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по изготовлению тестовых МДП элементов SiC MOSFET транзисторов и тестовых элементов ионной имплантации (ССТ-020-81)
Заключён договор
6 294 250 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD (ССТ-020-80)
Заключён договор
5 500 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по изготовлению тестовых элементов конструкции силовых приборов на пластинах карбида кремния (ССТ-020-62)
Заключён договор
18 501 761,67 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Услуги по выполнению технологических операций для реализации ионной имплантации на пластинах карбида кремния (ССТ-020-60)
Заключён договор
65 400 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Проведение исследования на РЭМ макетных образцов IGBT, MOSFET транзисторов и FRED, FRD диодов (ССТ-020-57)
Заключён договор
4 433 333,33 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Поставка подложек 4H-SiC (Research Grade) epi-ready
Заключён договор
3 500 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Поставка пластин с эпитаксиальной структурой n-типа на основе монокристаллического карбида кремния SiC диаметром 100 мм, толщина эпитаксиального слоя 10 мкм
Заключён договор
457 586,54 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Поставка пластин с эпитаксиальной структурой n-типа на основе монокристаллического карбида кремния SiC диаметром 100 мм, толщина эпитаксиального слоя 14 мкм
Заключён договор
226 694,25 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Поставка SiC MOSFET, SiC SBD транзисторов и SiC SBD диодов
Заключён договор
0 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
Изготовление макетных образцов IGBT транзисторов
Заключён договор
99 009 863,27 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
GD30MPS12H
Заключён договор
33 483,40 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
C2M0045170D
Заключён договор
376 250,10 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
C2M0025120D
Заключён договор
149 499,90 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
C6D25170H
Заключён договор
222 950,10 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░
SCT2080KE
Заключён договор
34 350 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░