Тендеры ООО "ССТ"

Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В (ССТ-020-82_1)

Изготовление демонстраторов кристаллов MOSFET транзисторов и FRED диодов (ССТ-020-83)

Изготовление демонстраторов кристаллов MOSFET транзисторов и FRED диодов (ССТ-020-83)

Cборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 60 В и 100 В (ССТ-020-83_2)

Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В

Услуги по изготовлению тестовых МДП элементов SiC MOSFET транзисторов и тестовых элементов ионной имплантации (ССТ-020-81)

Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD (ССТ-020-80)

Услуги по изготовлению тестовых элементов конструкции силовых приборов на пластинах карбида кремния (ССТ-020-62)

Услуги по выполнению технологических операций для реализации ионной имплантации на пластинах карбида кремния (ССТ-020-60)

Проведение исследования на РЭМ макетных образцов IGBT, MOSFET транзисторов и FRED, FRD диодов (ССТ-020-57)

Поставка подложек 4H-SiC (Research Grade) epi-ready

Поставка пластин с эпитаксиальной структурой n-типа на основе монокристаллического карбида кремния SiC диаметром 100 мм, толщина эпитаксиального слоя 10 мкм

Поставка пластин с эпитаксиальной структурой n-типа на основе монокристаллического карбида кремния SiC диаметром 100 мм, толщина эпитаксиального слоя 14 мкм

Поставка SiC MOSFET, SiC SBD транзисторов и SiC SBD диодов

Изготовление макетных образцов IGBT транзисторов

GD30MPS12H

C2M0045170D

C2M0025120D

C6D25170H

SCT2080KE