Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В
Этап закупки
Подача заявок до 02.02.2026 15:30 по Москве.
Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В
Коммерческая, Прочее №
░░░░░░░░░
опубликован 26.01.2026 15:58 по Москве ░░░░░░░░░░░░░░░
Подача заявок
с 26.01.2026 до 02.02.2026 15:30 по Москве
Начальная цена контракта
6 757 219,14 ₽
Обеспечение заявки
Нет информации
Обеспечение контракта
Нет информации
Обеспечение гарантийных обязательств
Нет информации
Проведение закупки
Площадка
░░░░░░░░░░░░░░░
Срок подачи
с 26.01.2026 до 02.02.2026 в 15:30 по Москве, осталось 2 дня
Регион
Предоставление документации
с 26.01.2026 до 02.02.2026 в 15:30 по Москве
Документы
Заказчик
ОГРН
1057747342630
Объект закупки
Наименование | Количество |
|---|---|
29.31.9 Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В | 1 усл. ед |
Итого | 6 757 219,14 |