Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В
Этап закупки
Подача заявок до 02.02.2026 15:30 по Москве.
Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В
Подача заявок
с 26.01.2026 до 02.02.2026 15:30 по Москве
Начальная цена контракта
6 757 219,14 ₽
Обеспечение заявки
Нет информации
Обеспечение контракта
Обеспечение гарантийных обязательств
Нет информации
Проведение закупки
Площадка
░░░░░░░░░░░░░░░
Срок подачи
с 26.01.2026 до 02.02.2026 в 15:30 по Москве, остался 1 день
Регион
Предоставление документации
с 26.01.2026 до 02.02.2026 в 15:30 по Москве
Документы
Заказчик
7735512625 – 773501001
Почтовый адрес
124460 город Москва, город Зеленоград, 1-ый Западный проезд, д. 12, стр. 2
ОГРН
1057747342630
Объект закупки
Наименование | Количество | Цена за единицу, ₽ |
|---|---|---|
29.31.9 Сборка и испытания кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench со встроенной защитой с напряжением 40 В и кристаллов MOSFET транзисторов с конструкцией Trench с напряжением 40 В | 1 усл. ед | 0 |