Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBDИзмерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD в Москве - тендер заказчика Общество с ограниченной ответственностью "СИТРОНИКС Смарт Технологии". Начальная цена контракта 5 500 000 рублей. Подайте заявку на участие в тендере на Точка Закупки.5500000RUB
Общество с ограниченной ответственностью "СИТРОНИКС Смарт Технологии"

Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD

Этап закупки

Размещение завершено, заключён договор.

Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD

Коммерческая, Прочее

Начальная цена контракта

5 500 000 ₽

Обеспечение заявки

Нет информации

Обеспечение контракта

Нет информации

Обеспечение гарантийных обязательств

Нет информации

Проведение закупки

Площадка

Регион

Предоставление документации

с 06.11.2025 до 11.11.2025 в 13:00 по Москве

Документы

Заказчик

Почтовый адрес

124460 город Москва, город Зеленоград, 1-ый Западный проезд, д. 12, стр. 2

ОГРН

1057747342630

Объект закупки

Наименование
Количество
Цена за единицу, ₽

Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD

1 усл. ед

0

ВСЕ ТЕНДЕРЫ