Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD (ССТ-020-80)Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD (ССТ-020-80) в Москве - тендер заказчика ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СИТРОНИКС СМАРТ ТЕХНОЛОГИИ". Начальная цена контракта 5 500 000 рублей. Подайте заявку на участие в тендере на Точка Закупки.5500000RUB
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СИТРОНИКС СМАРТ ТЕХНОЛОГИИ"

Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD (ССТ-020-80)

Этап закупки

Размещение завершено, заключён договор.

Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD (ССТ-020-80)

Коммерческая, Прочее
опубликован 06.11.2025 12:41 по Москве

Начальная цена контракта

5 500 000 ₽

Обеспечение заявки

Нет информации

Обеспечение контракта

Нет информации

Обеспечение гарантийных обязательств

Нет информации

Проведение закупки

Площадка

Предоставление документации

с 06.11.2025 до 11.11.2025 в 13:00 по Москве

Документы

Объект закупки

Наименование
Количество

Измерение параметров внутренней конструкции силового SiC MOSFET и SBD

1 усл. ед

Итого

5 500 000

ВСЕ ТЕНДЕРЫ