Этап закупки
Размещение завершено, заключён договор.
Начальная цена контракта
99 009 863,27 ₽
Обеспечение заявки
Нет информации
Обеспечение контракта
Обеспечение гарантийных обязательств
Нет информации
Площадка
░░░░░░░░░░░░░░░
Регион
Предоставление документации
с 15.11.2024 до 22.11.2024 в 18:00 по Москве
ОГРН
1057747342630
Наименование | Количество |
|---|---|
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Press SPT+ с напряжением 4500 В | 3 шт |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ Trench с напряжением 1200 В, в кристальном производстве Ø150 | 3 шт |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ Trench с напряжением 1700 В, в кристальном производстве Ø150 | 3 шт |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ с напряжением 3300 В, в кристальном производстве Ø150 | 3 шт |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ с напряжением 4500 В, в кристальном производстве Ø150 | 3 шт |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ с напряжением 6500 В, в кристальном производстве Ø150 | 3 шт |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Trench SPT+ RC с напряжением 3300 В, в кристальном производстве Ø150 | 3 шт |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Trench SPT+ RC с напряжением 4500 В, в кристальном производстве Ø150 | 3 шт |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Trench SPT+ RC с напряжением 6500 В, в кристальном производстве Ø150 | 3 шт |
Итого | 99 009 863,27 |