Этап закупки
Размещение завершено, заключён договор.
Начальная цена контракта
99 009 863,27 ₽
Обеспечение заявки
Нет информации
Обеспечение контракта
Обеспечение гарантийных обязательств
Нет информации
Площадка
░░░░░░░░░░░░░░░
Регион
Предоставление документации
с 15.11.2024 до 22.11.2024 в 18:00 по Москве
7735512625 – 773501001
Почтовый адрес
124460 город Москва, город Зеленоград, 1-ый Западный проезд, д. 12, стр. 2
ОГРН
1057747342630
Наименование | Количество | Цена за единицу, ₽ |
|---|---|---|
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Press SPT+ с напряжением 4500 В | 3 шт | 0 |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ Trench с напряжением 1200 В, в кристальном производстве O150 | 3 шт | 0 |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ Trench с напряжением 1700 В, в кристальном производстве O150 | 3 шт | 0 |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ с напряжением 3300 В, в кристальном производстве O150 | 3 шт | 0 |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ с напряжением 4500 В, в кристальном производстве O150 | 3 шт | 0 |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ с напряжением 6500 В, в кристальном производстве O150 | 3 шт | 0 |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Trench SPT+ RC с напряжением 3300 В, в кристальном производстве O150 | 3 шт | 0 |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Trench SPT+ RC с напряжением 4500 В, в кристальном производстве O150 | 3 шт | 0 |
Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Trench SPT+ RC с напряжением 6500 В, в кристальном производстве O150 | 3 шт | 0 |