Научно-исследовательские работы по проведению исследований слоев GaN, синтезированных на подложке Si методом МПЭ ПА с использованием In в качестве поверхностно-активного вещества
Малая, Прочее №
░░░░░░░░░░░░
Заключён договор
500 000 ₽
░░░░░░░░░░░░░░░