Материалы для эпитаксиального выращивания гетероструктур
Этап закупки
Размещение завершено, заключён контракт.
Материалы для эпитаксиального выращивания гетероструктур
Начальная цена контракта
20 916 020 ₽
Обеспечение заявки
209 160,20 ₽
Обеспечение контракта
Обеспечение гарантийных обязательств
Нет информации
Проведение закупки
Площадка
Проведение аукциона
16.09.2024
Подведение итогов
18.09.2024 в 00:00 по Москве
Предоставление документации
с 05.09.2024 до 16.09.2024 в 07:00 по Москве
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
7802072267 – 780201001
Место поставки
Почтовый адрес
Российская Федерация, 194021, Санкт-Петербург, УЛ. ПОЛИТЕХНИЧЕСКАЯ, Д.26
Местонахождение
Российская Федерация, 194021, Санкт-Петербург, УЛ. ПОЛИТЕХНИЧЕСКАЯ, Д.26
ОГРН
1037804006998
Контактные данные
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
7802072267 – 780201001
Контактное лицо
Полина Германовна Грицай
Номер телефона
Почта
Объект закупки
Наименование | Количество | Цена за единицу, ₽ | Стоимость, ₽ |
|---|---|---|---|
24.45.30.313 Подложка InAs (100), epi-ready, n-тип, диаметр 2 дюйма, толщина 350 мкм | 75 шт | 30 100 | 2 257 500 |
24.45.30.283 Подложка GaAs (100), epi-ready, р-тип, ориентация 6° к направлению (111)А | 100 шт | 13 221 | 1 322 100 |
24.45.30.283 Подложка GaAs (100), epi-ready, полуизолирующая, ориентация 6° к направлению (111)А, диаметр 4 дюйма, толщина 450 мкм | 150 шт | 13 221 | 1 983 150 |
24.42.11.110 Алюминий для МПЭ роста структур полупроводниковых фотоприемников (слиток) | 1070 шт | 3 485 | 3 728 950 |
24.45.30.283 Галлий (слиток) | 500 шт | 1 093 | 546 500 |
24.45.30.313 Индий (слиток) | 440 шт | 1 176 | 517 440 |
24.45.30.283 Подложка GaAs (100), epi-ready, полуизолирующая, диаметр 3 дюйма, толщина 625 мкм | 150 шт | 10 452 | 1 567 800 |
24.45.30.283 Подложка GaAs (100), epi-ready, полуизолирующая, диаметр 2 дюйма, толщина 350 мкм | 75 шт | 7 500 | 562 500 |
24.45.30.283 Подложка GaAs (100), epi-ready, n-тип, диаметр 2 дюйма, толщина 350 мкм | 75 шт | 7 000 | 525 000 |
24.45.30.283 Подложка GaAs (100), epi-ready, полуизолирующая, ориентация 6° к направлению (111)А, диаметр 4 дюйма, толщина 450 мкм, двусторонняя полировка | 50 шт | 11 320 | 566 000 |
24.45.30.283 Подложка GaAs (100), epi-ready, n-тип, диаметр 3 дюйма, толщина 600 мкм, двусторонняя полировка | 80 шт | 11 320 | 905 600 |
24.45.30.283 Подложка GaAs (100), epi-ready, n-тип, диаметр 3 дюйма, толщина 450 мкм, двусторонняя полировка | 100 шт | 12 183 | 1 218 300 |
24.42.11.110 Алюминий для МПЭ роста полупроводниковых лазерных структур (слиток) | 535 шт | 9 748 | 5 215 180 |
Итого | 20 916 020 | ||
Информация для участников
Преимущества
Не установлены
Требования к участникам
- Единые требования к участникам (ч.1 ст.31 №44-ФЗ)
- Аудиторские и консультационные услуги (ч.2.1 ст.31 №44-ФЗ)
- Привлечение субподрядчиков из СМП или социально ориентированной некоммер. орган. (ч.5 ст.30 №44-ФЗ)
- Финансовая устойчивость и платежеспособность
- Отсутствие в реестре недобросовестных поставщиков (ч.1.1 ст.31 №44-ФЗ)
- Отсутствие в реестре недобросовестных поставщиков (ч.1.1 ст.31 №44-ФЗ)
Ограничения и запреты
Не установлены